近日，Ampleon 宣布进一步扩展其下一代放大器 IC 产品组合。这些设备基于该公司的先进坚固技术 (ART)。

由于采用了重型设计，它们能够应对较恶劣的操作条件，凭借 1400W 和 1600W 的额定功率，全新ART1K6x系列中的器件可在1MHz 至 450MHz 的频率范围内运行。高击穿电压允许它们用于 E 类应用的 48V 和 55V AB 类应用(支持的最大 VDS 数字为 177V)。它们可以处理 65:1 的电压驻波比 (VSWR)，这意味着可以缓解任何潜在的负载失配问题。

这些 LDMOS 放大器表现出的高阻抗电，有助于降低功率损耗。因此，需要显着更低的电流。还需要散发更少的热量，从而减少相关的热管理开销并将系统物料清单成本降至较低。

ART1K6PH (G) 放大器均采用 OMP-1230 直引线或鸥翼封装，而 ART1K6FH 器件采用 SOT539AN 封装，它们都包含双面静电放电 (ESD) 保护机制。

它们可用于的各种应用包括等离子体发生器、磁共振成像 (MRI) 系统、CO2 激光器和粒子加速器，其他可能的用途包括广播和无线通信。

?射频功率放大器(RF PA)是各种无线发射机的重要组成部分。在发射机的前级电路中，调制振荡电路所产生的射频信号功率很小，需要经过一系列的放大一缓冲级、中间放大级、末级功率放大级，获得足够的射频功率以后，才能馈送到天线上辐射出去。为了获得足够大的射频输出功率，必须采用射频功率放大器。